財(cái)聯(lián)社資訊獲悉，AI領(lǐng)域?qū)τ谒懔Φ男枨蟛粩嗵岣?，?dāng)前以Chiplet為代表的先進(jìn)封裝技術(shù)高速發(fā)展，成為提升芯片性能的重要途徑。高性能封裝會帶來散熱新需求，高性能導(dǎo)熱材料成為剛需；5G的發(fā)展帶動了5G手機(jī)單機(jī)導(dǎo)熱材料價(jià)值的提升和5G基站的導(dǎo)熱材料需求；同時(shí)，在新能源汽車領(lǐng)域，電機(jī)/電控系統(tǒng)和動力電池系統(tǒng)也帶來了導(dǎo)熱材料的新需求。

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一、芯片算力提升對導(dǎo)熱材料的要求不斷提升

電子產(chǎn)品內(nèi)部工作產(chǎn)生的熱量主要通過均熱（橫向傳遞）和導(dǎo)熱（縱向傳遞）傳遞至外部。均熱是指熱量會自動從高溫區(qū)域流向低溫區(qū)域，直到整個(gè)物體的溫度達(dá)到均勻狀態(tài)；兩個(gè)溫度不同的物體接觸時(shí)，高溫物體會向低溫物體傳遞熱量，直到兩者溫度達(dá)到平衡狀態(tài)。均熱主要關(guān)注物體內(nèi)部的熱量分布，而導(dǎo)熱更多地關(guān)注物體之間的熱量傳遞。

Chiplet技術(shù)的核心思路在于盡可能多在物理距離短的范圍內(nèi)堆疊大量芯片，以使得芯片間的信息傳輸速度足夠快。隨著更多芯片的堆疊，不斷提高封裝密度已經(jīng)成為一種趨勢。隨著封裝密度的提高，單位電路的功率也不斷増大以減小電路延遲，提高運(yùn)行速度；同時(shí)，芯片和封裝模組的熱通量也不斷増大，顯著提高導(dǎo)熱材料需求。

根據(jù)中國信通院發(fā)布的《中國數(shù)據(jù)中心能耗現(xiàn)狀白皮書》，2021年，散熱的能耗占數(shù)據(jù)中心總能耗的43%，提高散熱能力最為緊迫。隨著AI帶動數(shù)據(jù)中心產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展，數(shù)據(jù)中心單機(jī)柜功率將越來越大，疊加數(shù)據(jù)中心機(jī)架數(shù)的增多，驅(qū)動導(dǎo)熱材料需求有望快速增長。

此外，根據(jù)廣州4G/5G基站功耗的實(shí)際測試結(jié)果，5G基站的有源天線單元或遠(yuǎn)端射頻單元的能耗相比于4G基站高出3-5倍，基帶處理單元的功耗也比4G基站高出30%-50%。綜合來看，5G基站能耗大約為4G基站的3-4倍。能耗的提升對導(dǎo)熱材料提出更高要求，因此5G基站中多采用高效導(dǎo)熱的TIM材料以應(yīng)對高能耗帶來的高熱負(fù)載。

二、導(dǎo)熱、散熱以及封裝材料需求有望持續(xù)打開

中信證券分析指出，AI領(lǐng)域?qū)λ懔Φ男枨蟛粩嗵岣?，推動了以Chiplet為代表的先進(jìn)封裝技術(shù)的快速發(fā)展，需要高性能導(dǎo)熱材料來滿足散熱需求；下游終端應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展也帶動了導(dǎo)熱材料的需求增加。預(yù)計(jì)隨消費(fèi)電子設(shè)備、新能源汽車的輕量化、高端化以及5G的持續(xù)建設(shè)，單位體積電子設(shè)備上的散熱需求將進(jìn)一步提高，相關(guān)的導(dǎo)熱、散熱以及封裝材料需求有望持續(xù)打開。由于本土替代的空間廣闊，國內(nèi)企業(yè)有望在這一領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)升級，成為全球市場的競爭者。

三、相關(guān)上市公司：阿萊德、德邦科技、飛榮達(dá)

阿萊德導(dǎo)熱相變材料具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能、高觸變性、低揮發(fā)性、表面具有一定自粘性且易于操作，公司產(chǎn)品可應(yīng)用于光模塊、人工智能服務(wù)器領(lǐng)域。

德邦科技高導(dǎo)熱導(dǎo)電封裝材料于客戶端成功用于第三代半導(dǎo)體（碳化硅、氮化鎵）功率器件芯片固晶制程，在集成電路封裝、智能終端封裝、動力電池封裝、光伏疊瓦封裝等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破。

飛榮達(dá)擁有電磁屏蔽材料及器件、導(dǎo)熱材料及器件生產(chǎn)的先進(jìn)技術(shù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用在網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)據(jù)中心（服務(wù)器）、消費(fèi)電子、新能源汽車、人工智能、光伏儲能、醫(yī)療及家用電器等領(lǐng)域。

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